短期不结识的原因
l约翰逊噪声(热提醒电荷波动,即电阻元件中的“热电动势”)
l劣势和量子涨落引起的声子散射(与Q筹议)
l回荡器电路(有源和无源元件)产生的噪声
l温度波动-热瞬态效应行径在烤箱设定点着落
l赶紧振动l吸附分子数目的波动
l应力开释、界面波动(石英、电极、装配、粘合)
l原子频率圭臬中的散粒噪声字母
l(英语字母表中的第十二个字母)
l ? ? ?
Allan偏差
也称为双样本偏差,或“艾伦方差”的闲居根,它是态状时域中回荡器短期结识性的圭臬方法。用σy(τ)暗示,
where
分数频率是在一段时辰内测量的
终止,τ;(yk+1-yk)是成对的
y的结合测量,理思情况下,<>暗示无尽多(yk+1-yk)2的时辰平均值。通过有限数目的m次测量不错得到一个很好的估量
(m≥100)。经常暗示·,即。
为什么σy(τ)?
经典方差:
一些常见的噪声发散
赶紧游走等经由,即方差跟着数据点数目的增多而增多。
l艾伦方差:
•精密回荡器中不雅察到的统统噪声经由的敛迹。
•与幂律谱密度类型有径直关连。
•易于策画。
•在估量噪声经由方面比快速傅里叶变换更快、更准确。
频率噪声和σy(τ)
时域结识性
*为了使σy(τ)成为赶紧频率波动的合适度量,必须从长τ的数据中合适地减去老化。
σy(τ)的幂律依赖性
在频率噪声耀眼(即“耀眼基底”)区域以下,晶体回荡器经常发达出τ-1(白相位噪声)依赖性。原子
圭臬败露τ-1/2(白频噪声)依赖性低至约
伺服回路时辰常数,τ-1依赖性小于该时辰常数。
耀脚下限运转时的典型τ为:晶体回荡器为1s,晶体回荡器为103s
Rb圭臬和Cs圭臬的105s。在τ较大的情况下,频率和老化的赶紧游走占主导地位。
杂音图片
图表败露了量z(t)的波动,举例,不错是计数器的输出(Δf vs.t)或相位检测器的输出(φ[t]vs.t。这些图败露了模拟的时域行径
对应于最常见的(幂律)光谱密度;hα是振幅
总计。注:由于SΔf=f2Sφ,举例白频噪声和相位赶紧游走是等效的。
谱密度
在频域中,由于相位偏差φ(t),一些
功率在ν0除外的频率。结识性为
以“光谱密度”为特征。光谱密度SV(f)
在以f为中心的单元带宽内,均方电压<V2(t)>不是掂量频率结识性的好方法,因为ε(t)和φ(t)齐对频率结识性有孝顺,而且它与频率波动莫得独一关连
(尽管ε(t)在精密频率源中经常不错忽略不计。)
相位和分数频率波动的谱密度Sφ(f)和Sy(f)分裂用于测量
频域。量g(t)的谱密度Sg(f)所以f为中心的单元带宽中g(t的均方值。此外,
带宽BW中g2的RMS值由下式给出
混音器功能
相位检测器
相位噪声测量
频率-相位-时辰关连
相位噪声的类型
晶体回荡器中的噪声
l频率乘以N会使相位噪声增多N2(即增多20log N,单元为dB)。
l在好多讹诈中,振动引起的“噪声”主导了统统其他噪声源(见后头的加快度效应部分)。
l麇集载波(在谐振器的BW内),Sy(f)变化为1/f,Sφ(f)为1/f3,其中f=与载波频率的偏移,ν。Sφ(f)也随1/Q4变化,其中Q=无负载Q
l Qmaxν=常数。,Sφ(f)≠ν4。(Qmaxν)BAW=1.6 x 1013赫兹;(Qmaxν)申明义波=1.05 x 1013赫兹。
σy(τ)随τ-1和τ-1/2变化的区域(τ-1/2出现时原子频率圭臬中),
σy(τ)├(QSR)-1,其中SR是信噪比;即,Q和信噪比越高,短期结识性越好(频域中远隔载波的相位噪声也越好)。
l当回荡器保管电路是一个迫切的噪声源时,谐振器的负载Q会影响噪声。
噪声基底受约翰逊噪声的截至;噪声功率,kT=-174 dBm/Hz,290K
l更高的信号电平不错改善噪声基底,但不成改善近距离噪声。(事实上,高驱动电平经常会镌汰近距离噪声,原因尚不齐全明晰。)
l低噪声SAW与低噪声BAW相乘:BAW在f<~1kHz时噪声较低,SAW在f>~1kHz时杂音较低;不错对两者进行锁相,以得到两者的最好恶果。
低噪声SAW和BAW倍增至10 GHz
(在非振动环境中)
低噪声SAW和BAW倍增至10 GHz
(在振动环境中)
TCXO噪声
TCXO的短期结识性取决于温度(T),经常比OCXO差,原因如下:
•TCXO晶体的频率(f)与T的斜率随T而变化。举例,在~20℃时,f与T的坡度可能接近零,但在T的极点值时,它将为~1ppm/oC。T
波动将在实践室环境T下引起较小的f波动,因此结识性可能很好,但毫度波动将在T极值处引起~10-9 f波动。TCXO的f与T斜率也随T而变化;零点和最大值不错在职何T处
最大斜率约为1ppm/oC。
•AT切割晶体的热瞬态敏锐性使T波动的影响不仅取决于T,还取决于T的变化率(而SC切割晶体
经常用于精密OCXO对热瞬变不敏锐)。在变化的T条目下,T传感器(热敏电阻)和晶体之间的T梯度会加重问题。
•TCXO经常使用基模AT切割晶体,其Q值低于OCXO中经常使用的晶体,C1值大于OCXO中使用的晶体。Q越低,晶体自身就越嘈杂,而C1越大,回荡器对电路噪声越敏锐。
•AT切割晶体的f与T经常发达出活性着落(见本文后头的“活性着落”
第章)。在出现骤降的T处,f与T的斜率可能非常高,因此T波动引起的噪声也会非常高,举例,σy(τ)可能镌汰100倍,相位噪声可能镌汰30 dB。任何T点齐可能出现行径着落。
石英腕表精度与温度
频率与温度特质
谐振器f与T的决定身分
主要:切割角度
l中学:
•Overtone
•空缺几何情势(概述、尺寸比)
•材料杂质和应变
•装配和粘合应力(大小和标的)
•电极(尺寸、情势、厚度、密度、应力)
•驾驶水平
•干豫模式
•负载电抗(值和温度总计)
•温度变化率
•热历史
•电离辐射
频率温度与切割角度,AT切割
OCXO讹诈中SC截止谐振器的盼望f与T
OCXO烘箱对结识性的影响
AT和其他非热瞬态抵偿回荡器切割的相比表莫得真义,因为动态f与T效应经常会主导静态f与T恶果。
烘箱结识性截至
•通过前馈抵偿本领已毕了105的热增益(即,在外壳T外测量并调节热敏电阻的设定值以进行预计和
抵偿),并配有双烤箱。举例,当增益为105时,若是外部ΔT=100oC,里面ΔT=1 mK。
•细致放大器的结识性~1μK/K
•热敏电阻的结识性约为1mK/年至100mK/年
•噪声<1μK(热敏电阻中的约翰逊噪声+放大器噪声+桥电流中的散粒噪声)
•温度波动的量子极限~1nK
•最好的烤箱假想不错提供非常高的f与T结识性
AT和SC切割谐振器的预热
TCXO热滞后
显然滞后
OCXO收回
在(a)中,回荡器在烤箱关闭和翻开的同期捏续翻开。在(b)中,烤箱在回荡器关闭和翻开时捏续翻开。
TCXO微调恶果
在TCXO中,温度敏锐电抗用于抵偿f与T的关连
变化。可变电抗也用于抵偿TCXO老化。老化调节对f与T结识性的影响是“微调效应”。弧线败露f与T
零微长入±6ppm微调时“0.5ppm TCXO”的结识性。(为明晰起见,弧线已垂直位移。)
为什么有修剪恶果?
负载电容对f与T的影响
谐波对f与T的影响
幅频效应
在高驱动水平下,由于石英的非线性,共振弧线变得分歧称。
频率与驱动电平
驱动水平与阻力
第二级驱动效应
行径着落
在有负载和无负载运行时,f与T和R与T的行径着落
电容器。浸入温度是CL的函数,这标明浸入是由具有较大负温度总计的模式(可能是鬈曲)引起的。
频率跨越
加快度与频率变化
频率偏移是幅度和标的的函数
况且经常与高达至少50gs的幅度呈线性关连。
加快无处不在
*回荡器的水平取决于回荡器的装配情势和位置。平台共振不错大大放大加快度水平。
**建树物振动会对噪声测量产生首要影响
加快影响“一切”
•加快力变形(应变)
材料和器件特质的变化——在某种进程上
•示例:
-石英谐振器频率
-放大器增益(应变改革半导体带结构)
-激光二极管辐射频率
-光学性能.光纤折射率(声光)
-腔频率
-DRO频率(应变改革介电常数)
-原子钟频率
-杂散电抗
-时钟速度(相对论效应)
2-g倾翻测验
(Δf与绕三个轴的姿态)
正弦振动调制频率
加快度理智度矢量
振动引起的艾伦偏差退化
振动引起的相位偏移
振动调制信号的相位为
当回荡器受到正弦振动时,峰值相位偏移为
示例:若是10 MHz,1 x 10-9/g回荡器受到10 Hz的影响
振幅为1g的正弦振动,峰值振动引起的相位偏移为1×10-3弧度。若是将此回荡器具作参考
10GHz雷达系统中的回荡器,10GHz处的峰值相位偏移将为1弧度。如斯大的相位偏移可能是不陶然性的
举例吸收锁相环(PLL)或相移键控(PSK)的那些系统的性能。
振动引起的边带
倍频后振动引起的边带