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阿特斯得回发明专利授权:“一种提高双面PERC后面成果的背膜结构过头制备时势和讹诈”

本站音讯,阐明天眼查APP数据清楚阿特斯(688472)新得回一项发明专利授权,专利名为“一种提高双面PERC后面成果的背膜结构过头制备时势和讹诈”,专利恳求号为CN202011079435.1,授权日为2024年11月26日。

专利撮要:本发明提供一种提高双面PERC后面成果的背膜结构过头制备时势和讹诈,所述背膜结构包括位于电板片后面的氧化铝薄膜,在氧化铝薄膜上设有氮化硅薄膜,在氮化硅薄膜上设有氮氧化硅薄膜;其中氮化硅薄膜的折射率与氮氧化硅薄膜的折射率之积就是硅的折射率,氮化硅薄膜的光程与氮氧化硅薄膜的光程十分。本发明的背膜结构不错提高双面电板的后面成果,提高电板的开压和FF,现正面调养成果的提高,提高企业的效益和竞争力。

本年以来阿特斯新得回专利授权108个,较前年同时减少了25.52%。荟萃公司2024年中报财务数据,本年上半年公司在研发方面插足了4.23亿元,同比增51.78%。

数据起原:天眼查APP

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