韩国内存大厂SK海力士当天晓谕，量产巨匠最高321层堆栈1Tb TLC 4D NAND Flash闪存。

SK海力士暗意，2023年6月量产上代238层堆栈NAND Flash后，现又先推出跨越300层堆栈的NAND Flash，冲破界线。SK海力士计算2025上半年起，供货321层堆栈居品。

居品缔造采高分娩成果3-Plug制程，克服堆栈局限。分三次通孔制程，优化后续工程，三个通孔以电气连络。并缔造低变形材料，引进通孔自动枚举（alignment）检阅。

团队也将上代238层堆栈NAND Flash平台用于321层堆栈居品，最大抵制减少制程变化。与上代相较，分娩成果进步59%。321层堆栈居品与上代相较，数据传输速率和读取性能分手提高12%、13%，数据读取能效也提高10%以上。SK海力士接下来将以321层堆栈NAND Flash应酬AI低功耗、高性能市集，迟缓扩大期骗规模。

NAND Flash缔造副社长崔正达暗意，先插足300层堆栈以上NAND Flash量产，攻占AI数据中心固态硬盘、边际AI等AI内存市集有益地位。翌日不仅HBM为代表的DRAM限度，NAND Flash限度也有超高性能居品组合，跃升为全方向AI内存商。

(首图着手：SK海力士)